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Ultim Max SDD硅漂移检测器
技术指标1.1 ★探测器:分析型SDD硅漂移电制冷探测器,有效面积≥40mm2,高分子超薄窗设计。1.2 封闭式真空系统,无需借助SEM抽放真空。1.3 能量分辨率:Mn Ka保证优于127eV
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X-Max Extreme 硅漂移探测器(SDD)-无窗超级能谱
设计使得探测器可以在7kV电压下工作。SEM中优于10nm元素表征x射线图图像分辨率接近SEM分辨率 X-Max Extreme全新硅漂移探测器是能谱探测器领域的又一突破,为超高分辨率FEG-SEM的
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OXFORD Ultim Extreme EDS 能谱仪
中提供低于10nm 的空间分辨率在1kV 以下的材料特性与浸入式光学器件相结合, 可在高达30kV 的情况下收集高灵敏度数据, 而不会产生任何影响Ultim Extreme硅漂移检测器是超高
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牛津仪器X-Max TEM硅漂移探测器
获取元素分布图,包括实时背底扣除及重叠峰剥离处理X-MaxN TSR这种基于TEM应用的无窗硅漂移型探测器提供0.3至0.7球面度范围内的采集立体角。它对整个X射线能量范围内都有着非常好的采集效率
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AMPTEKX射线/X光硅漂移探测器XR-100SDD
产品参数常规参数探头类型硅漂移探测器(SDD)探头尺寸25mm2硅晶体厚度500μm准直器内置多层准直器(ML)能量分辨率(@55Fe, 5.9keV峰)125-140eV FWHM (11.2μs
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AMPTEK-超快型X射线/X光硅漂移探测器
下一代硅漂移探测器 (Next Generation SDD)超快型硅漂移探测器 (Super Fast SDD) 10倍通量 & 不损失任何分辨率 能量分辨率(FWHM,[eV])峰化时
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牛津仪器X-Max TEM 大面积硅漂移探测器
Ultim Max TLE我们TEM的旗舰款SDD能谱探测器,经过设计优化,提高了小束斑下的计数率,可表征原子尺度的元素信息。这一性能是通过优化的晶体形状,100mm2大面积晶体,无窗结构
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牛津仪器Xplore能谱探测器
了Ultim Max探测器中诸多新技术,它提供了实时EDS分析所需的快速数据采集,同时保证了常规分析所需的自动可靠的结果。速度Extreme电路与X1脉冲处理器的结合使Xplore能够以
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Amptek FAST SDD C2 window/快速硅漂移探测器SEM应用
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硅光电探测器
仪器简介: 硅光电探测器(Si) ———室温型探测器,波长范围:200-1100nm 技术参数: 型号列表及主要技术指标: 技术指标\型号名称
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